反转胶是一种 紫外光刻胶，它既可以当作正胶使用，也可以作为负胶使用。在正常工艺下，反转胶表现为正胶特性，但通过后烘和泛曝光后，它会展现出负胶的特性。这种光刻胶的主要成分包括光敏成分、树脂和溶剂。其刻蚀原理是，在掩模曝光时，掩模曝光区域的光敏成分会发生化学反应，转变为羧酸，变得亲水并能够溶于碱性显影液中，从而实现正胶到负胶的转换。
反转胶的主要应用领域是剥离过程，通过适当的工艺参数，可以获得底切的侧壁形态。这种方法有助于防止沉积的材料在光刻胶边缘和侧壁上形成连续薄膜，从而获得干净的剥离光刻胶结构。常见的反转胶型号包括AZ5214E，其固含量约为28%，匀胶厚度在1-2um之间。
总结来说，反转胶是一种双功能的光刻胶，能够在不同的工艺条件下发挥正胶和负胶的作用，广泛应用于半导体制造和剥离工艺中。